1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体器件.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约6.54万字
  • 约 65页
  • 2023-05-30 发布于四川
  • 举报

半导体器件.pdf

    本发明提供了半导体器件，包括：第一电极线，在第一方向上延伸；第二电极线，设置在第一电极线之上，并在不同于第一方向的第二方向上延伸；第一存储单元，设置在第一电极线和第二电极线的交叉处并在第一电极线和第二电极线之间；第一绝缘层，设置在两个相邻的第一电极线之间并在第一方向上延伸；第二绝缘层，在相邻的第一存储单元之间设置在第一绝缘层和第一电极线上；以及第三绝缘层，在两个相邻的第二电极线之间设置在第二绝缘层上并在第二方向上延伸。第二绝缘层的顶表面比第二电极线的底表面高，第一电极线的下部在第二方向上比第一电

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112467026 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011084987.1 (22)申请日 2017.02.13 (30)优先权数据

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >