原创力文档- 1
- 0
- 约2.57万字
- 约 20页
- 2023-05-30 发布于四川
- 举报
本发明涉及表面处理组合物、表面处理组合物的制造方法、表面处理方法和半导体基板的制造方法。[课题]提供：可以充分去除存在于包含氧化硅或多晶硅的研磨完的研磨对象物的表面的有机物残渣的方案。[解决方案]一种表面处理组合物，其为用于对研磨完的研磨对象物的表面进行处理的表面处理组合物，其含有：具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物和水，式(1)中，R1为碳数1～5的烃基，R2为氢原子或碳数1～3的烃基。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112457930 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202010876781.6 H01L 21/02 (2006.01)
(22)申请日 2
文档评论（0）