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- 2023-05-30 发布于四川
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本申请公开了一种三维相变存储结构、其制备方法、相变存储器和电子设备。该三维相变存储结构包括：衬底，位于衬底上的叠层结构，贯穿叠层结构的第一过孔，位于第一过孔内的X个相变存储单元，位于叠层结构上的晶体管和多条走线。当需要选中其中一个相变存储单元时，通过字线控制所有的晶体管导通，通过位线选中仅与该位线电连接的X个相变存储单元，然后通过层控制线选通其中一个相变存储单元，从而实现任一变存储单元的唯一选择，实现一种新型的三维相变存储结构。并且，在该三维相变存储结构中，位于同一过孔中的X个相变存储单元可以共
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115835773 A
(43)申请公布日 2023.03.21
(21)申请号 202111081593.5
(22)申请日 2021.09.15
(71)申请人 华为技术有限公司
地址 51812
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