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光电子的应用光电转换器件光全息第1页/共40页 光电子在信息领域中的主要应用光电转换器件根据光电转换器件的用途来区分：光电探测器件。光电成像器件。光电导探测器 光电导探测器是利用光电导效应制作的光探测器，主要特征是受到光照后，器件的电阻发生变化。包括：光敏电阻、光导管。0.03eV1eV2.4eV禁带导带价带光电导体的能带 能够产生光电导效应的电子跃迁类型包括：本征吸收和杂质吸收。 电子吸收了光子能量后，从价带跃迁到导带或从禁带中的杂质能级跃迁到导带或从价带跃迁到禁带中的杂质能级，其结果是在导带中产生了自由电子或在价带中产生了空穴。第2页/共40页 光电子在信息领域中的主要应用光电转换器件0.40.81.21.62.02.40.20.40.60.81.0? (?m)R1231-CdS2-CdSe3-PbS三种光敏电阻的光谱响应特性曲线光电导器件的工作特性1. 响应度 光探测器的输出电压或输出电流与入射光功率之比。RI = I/P (A/W); RV = V/P (A/W); R 为输出电阻响应度与外加偏压、载流子受命和器件长度有关2. 光谱特性 光电导探测器是波长选择性器件即在一定的波长范围内，才对入射光有影响而对其他波长响应度极小或趋于0。 材料的禁带宽度决定了光谱响应的长波限 ?0 。在 ? ?0 时，随光子能量的增加，有更多的电子能够被激发到导带参与导电，使光电导增大，响应率提高。第3页/共40页 光电子在信息领域中的主要应用光电转换器件 如果入射光子的能量大到足以使价带中所有电子被激发到导带，光生载流子的数目不在随之增加，就会引起响应率下降。因此，在响应率从增加到减小的过程中会出现一个响应的峰值波长 ? （略小于?0 ）3. 照度特性在外加电压 V 一定时，光电流与入射光照度 E 的关系可表示为：I = KV?E?式中 K、?、? 均为常数，K 与器件的材料、尺寸、形状及载流子寿命有关； ?是电压指数，一般为1.1-1.2; ? 是照度指数，随杂质的种类和复合中心数的多少而不同。 ?值对弱光约为 1，对强光则为 0.5。 4.响应速度 光电导材料在受到光照射时，需要经过一段时间才能达到新的平衡，载流子浓度达到稳定值。而光照消失后，也要经过一段时间，光生载流子浓度才能恢复到初始状态。这种现象反映了光电导的惰性。 光电导探测器的响应时间：光照时流过光导器件的电流上升到 0.63 I0 所需要的时间 t? 以及遮光后电流下降到 0.37 I0 所需的时间tf。第4页/共40页 光电子在信息领域中的主要应用光电转换器件20 K90 K195 K290 K12345波长? (?m)响应率R（相对值）0.11.0硫化铅探测器光谱响应与温度的关系5. 温度效应 半导体光电导器件受温度变化的影响较大。当温度升高时，热激发载流子增多，热噪声变大；光生载流子复合几率增大，寿命变短，导致灵敏度降低；响应峰值波长向短波方向移动。 器件的电阻值也是与温度有关的，一般在弱光照与强光照时，温度系数都较大，而中等强度的光照时的温度系数较小。6. 基本工作电路V0VsRLRDC入射光光电导探测器光电导器件的暗电阻很大（无光照射时的电阻），在10M? 以上。第5页/共40页 光电子在信息领域中的主要应用光电转换器件光电池 利用光生伏特效应制成的无偏压光电转化器件，由于其内部可能存在 PN 结，所以也称为结型探测器。用途：1. 能量转化器件，太阳能电池，将光能转化成电能，成为一种电源。 2. 光电探测器件，将光信号转化成电信号，起测量作用。结构类型：1. 金属－半导体接触型 2. PN 结型1234NNPPPN金属－半导体型光电池1－集电极；2－半透明薄膜3－硒层；3－金属板光光电极电极－＋PN 结型光电池硅光电池2DR 型2CR 型第6页/共40页 光电子在信息领域中的主要应用光电转换器件制作光电池的材料：硅、硒、砷化镓、氧化亚铜、硫化镉。原理： 硒光电池的结构属于金属－半导体接触型。在铁或铝的基底上镀一层 镍，然后将 P 型半导体硒涂在上面，在镀上一层半透明导电薄膜（金 或氧化镉），最后安装电极，从上部与下部引线就形成了光伏器件。 当光照射到半透明的膜下的硒表面时，由于硒的本征吸收而产生了电 子－空穴对，在导电膜与半导体硒交界处的势垒作用下，电子流向导 电膜一边，空穴则向另一边集中，从而形成了光生电动势。