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- 2023-05-30 发布于四川
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一种超级结器件结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一外延层和主动电场介入层，第一外延层内具有第一离子，主动电场介入层内具有第二离子，第一离子的导电类型和第二离子的导电类型相同，第二离子的掺杂浓度小于第一离子的掺杂浓度；在第一外延层和主动电场介入层内形成若干超级结沟槽；在超级结沟槽内形成第二外延层，第二外延层内具有第三离子，第三离子的导电类型与第一离子的导电类型不同。通过在第一外延层内形成主动电场介入层，利用主动电场介入层将电场高峰引入体内，减少电场高峰对第一外延层上的器件
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115810545 A
(43)申请公布日 2023.03.17
(21)申请号 202211509788.X
(22)申请日 2022.11.29
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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