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包括数据存储结构的半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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包括数据存储结构的半导体装置.pdf

    一种半导体装置包括：在衬底上的堆叠结构，该堆叠结构包括沿着第一方向堆叠的交替的栅电极和绝缘层；沿着第一方向穿过堆叠结构的竖直开口，该竖直开口包括沟道结构，该沟道结构具有在竖直开口的内侧壁上的半导体层以及在半导体层上的可变电阻材料，该可变电阻材料中的空位浓度沿其宽度变化以在更靠近沟道结构的中心而非更靠近半导体层处具有更高的浓度；以及在衬底上的杂质区域，该半导体层在沟道结构的底部接触该杂质区域。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466879 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202010922288.3 (22)申请日 2020.09.04 (30)优先权数据

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