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三维闪存存储器、控制电路、形成栅极叠层的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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三维闪存存储器、控制电路、形成栅极叠层的方法.pdf

    一种三维闪存存储器、控制电路、形成栅极叠层的方法，三维闪存存储器包括一栅极叠层结构，具有彼此电性绝缘的多个栅极层；一圆柱形通道柱，垂直地延伸穿过栅极叠层结构的每个栅极层，圆柱形通道柱的横截面为一圆柱体；一第一导电柱，垂直地延伸穿过栅极叠层结构，第一导电柱位于圆柱形通道柱内并电性连接至圆柱形通道柱；一第二导电柱，垂直地延伸穿过栅极叠层结构，第二导电柱位于圆柱形通道柱内并电性连接至圆柱形通道柱，第一导电柱和第二导电柱彼此分离。三维闪存存储器还包括一铁电层，设置于栅极叠层结构的此多个栅极层和圆柱形通道

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466891 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202010877035.9 H01L 27/11597 (2017.01)

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