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本公开涉及半导体装置及其制造方法，特别涉及一种形成半导体装置的方法。形成半导体装置的一例示性方法包含接收包含基板以及基板上方的第一硬遮罩的结构，第一硬遮罩具有分开的至少两个部分；以空隙于间隔物之间地沿着第一硬遮罩的上述至少两个部分的侧壁形成间隔物；形成第二硬遮罩于空隙中；形成第一切口于第一硬遮罩的上述至少两个部分中；形成第二切口于第二硬遮罩中；以及沉积切割硬遮罩于第一切口以及第二切口中。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112509973 A
(43)申请公布日 2021.03.16
(21)申请号 202010966146.7
(22)申请日 2020.09.15
(30)优先权数据
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