一种提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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一种提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法.pdf

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本发明涉及一种提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法，包括清洗衬底置于反应室内的小盘上；将反应室抽至真空，随后通入氢气，进行恒温刻蚀；采用线性缓变的方式在20～100s内改变反应室压力、温度，同时通入碳源、硅源，其中C/Si摩尔比由0渐变至0.80～1.10；采用线性缓变的方式在20～100s内改变碳源流量和硅源流量，保持C/Si摩尔比不变；采用线性缓变的方式20～100s内改变温度、压力、碳源流量以及硅源流量至目标条件进行外延薄膜生长直至目标厚度等。采用本发明所述提高碳化硅外延薄膜生长质量的方法，可

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112490117 B (45)授权公告日 2021.08.10 (21)申请号 202011420249.X H01L 21/04 (2006.01) (22)申请日

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