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增强型GaN HEMT器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-31 发布于四川
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增强型GaN HEMT器件及其制备方法.pdf

    本申请公开了一种增强型GaNHEMT器件及其制备方法，其中，增强型GaNHEMT器件包括：Al2O3衬底，具有第一表面和第二表面；本征GaN外延层，位于Al2O3衬底的第一表面；AlGaN外延层，位于本征GaN外延层的表面；二维Te层，位于AlGaN外延层的表面；栅金属电极，位于二维Te层的表面；源金属电极，位于AlGaN外延层的表面；漏金属电极，位于AlGaN外延层的表面。本申请中，用于实现增强型特性的p型层采用了二维材料Te，Te材料本身就具有p型半导体的特性，和AlGaN外延层结合可以

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115799314 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211654189.7 H01L 21/335 (2006.01) (22)申请日 2022.12

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