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半导体器件及其形成方法.pdfVIP

半导体器件及其形成方法.pdf

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    本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其形成方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的芯层；在所述芯层的侧壁上形成第一侧墙，所述第一侧墙的顶部表面与所述芯层的顶部表面齐平；去除至少一个所述芯层的一侧壁上的所述第一侧墙；在去除所述第一侧墙后的所述芯层的侧壁上形成第二侧墙，所述第一侧墙和所述第二侧墙采用非相同材料。本发明利用第一侧墙和第二侧墙采用非相同材料，将不需要形成鳍部位置上的侧墙去掉，继续剩余的侧墙为掩膜刻蚀衬底形成鳍部时，在不需要形成鳍部的位置就不会形成鳍部，简化了鳍部的形成工艺，提

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563200 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 20191

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