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2023-06-01 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法和芯片及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底，所述第一基底包括存储区，所述存储区包括沿所述第一基底表面方向排布的若干存储单元；与所述第一基底键合的第二基底，所述第二基底包括逻辑区，所述逻辑区与所述存储区在垂直于所述第二基底表面的方向上重叠，所述逻辑区包括沿所述第二基底表面方向排布的若干逻辑单元，每个所述逻辑单元的电路与2个以上所述存储单元的电路电互连，或每个所述存储单元的电路与2个以上所述逻辑单元的电路电互连。所述半导体结构能够提高芯片性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112542445 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 201910837856.7 (22)申请日 2019.09.05 (71)申请人芯盟

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