微电子器件B缓变基区晶体管的电流放大系数.pptxVIP

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微电子器件B缓变基区晶体管的电流放大系数; 3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数 ; 本节以 NPN 管为例,结电压为 VBE 与 VBC 。; 本节求基区输运系数 的思路; 基区多子浓度与基区杂质分布的不均匀会在基区中产生一个内建电场 E ,使少子在基区内以漂移运动为主,所以缓变基区晶体管又称为漂移晶体管。 ; 在实际的缓变基区晶体管中, 的值为 4 ~ 8 。 ; 因为 , ,所以内建电场对渡越基区的电子起加速作用,是 加速场 。; 将基区内建电场 E 代入电子电流密度方程,可得注入基区的少子形成的电流密度(其参考方向为从右向左)为;; 下面求基区少子分布 nB (x) 。; 对于均匀基区,; 对于缓变基区晶体管,当 较大时,上式可简化为;; 3.3.4 注入效率与电流放大系数; 类似地,可得从基区注入发射区的空穴形成的电流密度为;; 3.3.5 小电流时电流放大系数的下降; 当电流很小时,相应的 VBE 也很小,这时 很大,使 γ 减小,从而使 α 减小。; 随着电流增大, 减小,当 但仍不能被忽略时,; 当电流很大时,α 又会开始下降,这是由于大注入效应和基区扩展效应引起的。; 3.3.6 发射区重掺杂的影响; 对于室温下的硅 ,; 发射区禁带变窄后,会使其本征载流子浓度 ni 发生变化,;NE 增大而下降,从而导致 α 与 β 的下降。; (2) 俄歇复合增强; 2、基区陷落效应 当发射区的磷掺杂浓度很高时,会使发射区下方的集电结结面向下扩展,这个现象称为 基区陷落效应。; 3.3.7 异质结双极晶体管(HBT) ; 常见的 HBT 结构是用 GaAs 做基区,AlxGa1-xAs 做发射区。另一种 HBT 结构是用 SiGe 做基区,Si 做发射区。 ; 第三章第一次作业;谢谢观看!

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