用于处理半导体晶片的方法、工具及系统.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.41万字
约 20页
2023-06-02 发布于四川
举报
版权申诉

用于处理半导体晶片的方法、工具及系统.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种等离子体蚀刻半导体晶片的方法包括：将半导体晶片固定到工艺腔室内的安装平台，使得半导体晶片的外边缘被其中具有多个穿孔的倾斜的环状的环围绕，倾斜的环状的环具有在倾斜的环状的环的第一端的内边缘及在倾斜的环状的环的第二端的外边缘。合适地，第一端与第二端相对，第一端位于第一平面中，第二端位于不同于第一平面的第二平面中。所述方法还包括在工艺腔室内产生等离子体，使得半导体晶片暴露于等离子体，以及在倾斜的环状的环中产生通过穿孔的等离子体及气体中的至少一个的流。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116190187 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202210414886.9 (22)申请日 2022.04.20 (30)优先权数据 17/671,646 2022