三维存储器器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-03 发布于四川
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三维存储器器件及其制造方法.pdf

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三维存储器器件及其制造方法。提供了一种用于形成3D存储器器件的栅极结构的方法。所述方法包括形成包括外围区域以及阶梯和阵列区域的阵列晶圆。形成阵列晶圆的过程包括：在外围区域中的第一衬底中形成阵列阱结构；在阶梯和阵列区域中的第一衬底上形成阵列器件；以及在外围区域中形成至少一个与阵列阱结构相接触的第一垂直贯穿触点。所述方法还包括形成CMOS晶圆，并且将阵列晶圆和CMOS晶圆键合。所述方法还包括形成穿透第一衬底和阵列阱结构并且与至少一个垂直贯穿触点相接触的至少一个贯穿衬底触点。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112635489 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202011523321.1 (22)申请日 2019.08.02 (62)分案原申请数