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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法,通过在形成金属材料层之后,对金属材料层执行离子轰击工艺,以使至少部分位于金属材料层的顶表面上,且凸起的金属晶粒被轰击掉落后,填充至金属材料层的顶表面的凹陷处。如此以使金属材料层顶表面平坦化,进而降低金属材料层顶表面的粗糙度,以增强后续形成的半导体器件的性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112635305 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202011329295.9
(22)申请日 2020.11.24
(71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司
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