石墨烯场效应晶体管的制备及其特性研究.docx

石墨烯场效应晶体管的制备及其特性研究 一、石墨烯的简介 石墨烯是一种单层或几层碳原子通过共价键相连形成的二维结构材料。由于其独特的物理、化学性质，在纳米电子学、热管理、光学、传感器等领域具有广泛应用前景。石墨烯的主要优点包括具有高的电子传输速度、高的机械强度、优异的热导率及热稳定性等。因此，石墨烯已成为材料研究领域中的热点之一。 二、石墨烯场效应晶体管的简介 石墨烯场效应晶体管（Graphene Field-Effect Transistor，简称GFET）由石墨烯作为信道层、栅介质和栅极组成的一种新型晶体管。增强型石墨烯场效应晶体管（enhancement-mode graphene field-effect transistor，简称EGFET）采用摩尔面积最小的石墨烯薄膜作为信道区，并将绝缘层作为栅介质，以调节信道电子浓度。在调制栅极电势时，可以在石墨烯薄膜中形成电子或空穴的富集区域，从而实现电流的控制。 三、石墨烯场效应晶体管的制备方法 石墨烯场效应晶体管的制备方法可以分为机械剥离法、化学气相沉积法、热解法等多种。其中，机械剥离法和化学气相沉积法是制备石墨烯场效应晶体管最常用的两种方法。 1、机械剥离法 机械剥离法是指通过机械手段将单层或多层石墨烯从其母材上剥离下来。由于石墨烯的阻挡效应，通常将其剥离在硅基底上，这样可以避免石墨烯与空气或其他材料的相互作用对其电性能的影响。