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本发明提供了低功耗静态随机存储器单元，包括由第一N型晶体管和第一P型晶体管组成的第一CMOS反相器，由第二N型晶体管和第二P型晶体管组成的第二CMOS反相器，第一和第二CMOS反相器对置互锁设置；还包括第五N型晶体管，其栅极接第一CMOS反相器的输入端，源/漏极接第六N型晶体管的漏/源极；所述第五N型晶体管为背栅晶体管，其背栅接本体栅极；所述第六N型晶体管为背栅晶体管，其背栅接本体栅极，并连接至读字线。本发明在原有传统6管存储单元的基础上增加了第五和第六N型晶体管，写操作时的阈值电压变小，增强了
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687308 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011595333.5
(22)申请日 2020.12.29
(71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术
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