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自对准双图案化.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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自对准双图案化.pdf

    本申请涉及自对准双图案化。一种方法包括图案化目标层之上的芯轴层以形成第一芯轴和第二芯轴，第一芯轴的宽度大于第二芯轴的宽度。间隔件层形成在第一芯轴和第二芯轴之上并被修改而使得第一芯轴之上的间隔件层的厚度大于第二芯轴之上的间隔件层的厚度。从间隔件层形成间隔件，这些间隔件与第一芯轴相邻的宽度大于与第二芯轴相邻的间隔件。使用间隔件来蚀刻目标层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750760 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011177021.2 (22)申请日 2020.10.28 (30)优先权数据 62/927,33

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