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具有多个不同介电层的逐步击穿存储单元.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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具有多个不同介电层的逐步击穿存储单元.pdf

    本发明涉及一种具有多个不同介电层的逐步击穿存储单元。在一些实施方式中，一种多电平一次性可编程存储单元包括：顶电极；底电极；以及设于所述顶电极和底电极之间的多个介电层，其中，满足至少以下一个条件：至少两个介电层为不同的介电材料；该多电平一次性可编程存储单元包括至少一个金属层，其中，每一个金属层均设置于两个介电层之间。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750948 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011180273.0 (22)申请日 2020.10.29 (30)优先权数据 62/927,35

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