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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置.pdf

    本公开提供一种半导体装置，其包括第一导电结构、第一介电结构、第二导电结构、蚀刻停止层、第一间隔物结构及第二介电结构。第一介电结构位在第一导电结构的第一表面和第二导电结构的表面之间。蚀刻停止层覆盖第一导电结构。第一间隔物结构覆盖第一介电结构。第二介电结构覆盖第一间隔物结构和蚀刻停止层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750806 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011183266.6 (22)申请日 2020.10.29 (30)优先权数据 16/669,91

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