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    本发明公开了一种半导体结构，包含接合的第一部件及第二部件。第一部件包含第一层间介电层、第一互连结构、第一密封环及第一接合层。第一互连结构位于第一层间介电层中，并被第一密封环包围。第一接合层覆盖第一层间介电层和第一互连结构，并具有一部分围绕第一密封环。第二部件包括第二层间介电层、第二互连结构、第二密封环和第二接合层。第二互连结构位于第二层间介电层中，且被第二密封环包围。第二接合层与第一接合层接触并覆盖第二层间介电层和第二互连结构，并且第二接合层的一部分围绕第二密封环。本发明的半导体结构可以避免第一

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112713136 B (45)授权公告日 2022.08.23 (21)申请号 201911052451.9 (51)Int.Cl.

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