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本申请涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件,包括:对制绒后的基底的第一表面进行硼扩散,形成硼扩散层和厚度D1满足90nm≤D1≤190nm的硼硅玻璃层;在所述基底的第二表面沉积非晶硅或多晶硅,形成有绕镀层;在所述基底的第二表面进行磷扩散,形成掺杂导电层,所述绕镀层远离所述基底的一侧形成有厚度小于所述硼硅玻璃层厚度的第一磷硅玻璃层,以及,在所述硼硅玻璃层中形成有厚度小于或等于所述硼硅玻璃层厚度的硼磷硅玻璃层;使用酸性溶液去除所述第一磷硅玻璃层,所述酸性溶液包括第一溶液,或,第一溶液和
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115763640 A
(43)申请公布日 2023.03.07
(21)申请号 202211575198.7
(22)申请日 2022.12.08
(71)申请人 晶科能源股份有限公司
地址 334
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