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集成芯片结构和其形成方法以及形成多维集成芯片的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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集成芯片结构和其形成方法以及形成多维集成芯片的方法.pdf

    在一些实施例中，本公开涉及一种形成集成芯片结构的方法。可以通过在设置在第一半导体衬底的上表面上方的第一互连结构内形成多个互连层来执行该方法。执行边缘修整工艺以沿着第一半导体衬底的周边去除第一互连结构和第一半导体衬底的部分。边缘修整工艺导致第一半导体衬底具有通过直接设置在第一半导体衬底上方的内侧壁而耦合到上表面的凹进表面。在执行边缘修整工艺之后，在第一互连结构的侧壁上形成介电保护层。本公开还涉及形成多维集成芯片的方法以及集成芯片结构。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750758 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202010940991.7 H01L 23/528 (2006.01)

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