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半导体装置的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置的形成方法.pdf

    提供半导体装置与其形成方法。方法包括形成鳍状物，且鳍状物自基板延伸；以及沿着鳍状物的上表面与侧壁形成栅极介电层。沿着鳍状物的上表面的栅极介电层的第一厚度，大于沿着鳍状物的侧壁的栅极介电层的第二厚度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750780 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011182854.8 (22)申请日 2020.10.29 (30)优先权数据

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