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半导体装置结构的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置结构的形成方法.pdf

    本公开提供一种半导体装置结构的形成方法。方法包括提供基板、第一纳米结构与第二纳米结构。方法包括形成隔离层于基底上。方法包括形成栅极介电层于第一纳米结构、第二纳米结构、鳍状物与隔离层上。方法包括形成栅极层于第一部分上。方法包括形成间隔物层。方法包括移除栅极介电层的第二部分与隔离层的第一上侧部分，以形成空间于鳍状物与间隔物层之间。方法包括形成源极/漏极结构于空间之中以及第一纳米结构与第二纳米结构之上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750704 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011187912.6 H01L 29/78 (2006.01) (22)申请日 2

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