III族氮化物半导体发光元件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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III族氮化物半导体发光元件及其制造方法.pdf

提供一种III族氮化物半导体发光元件及其制造方法,该III族氮化物半导体发光元件可以抑制发光输出的经时变化,并且具有比以往更优异的发光输出。本发明的III族氮化物半导体发光元件(100)的发光波长为200nm~350nm,依次具备n型层(30)、发光层(40)、电子阻挡层(60)和p型接触层(70),电子阻挡层(60)具有共掺杂区域层(60c),p型接触层(60)为p型AlxGa1‑xN(0≤x≤0.1),p型接触层(60)的厚度为300nm以上。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112753108 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 201980063471.8 (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事

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