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用于制造半导体器件的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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用于制造半导体器件的方法.pdf

    一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成沉积型界面层；将所述沉积型界面层转化成氧化型界面层；在所述氧化型界面层上形成高k层；在所述高k层与所述氧化型界面层之间的界面上形成偶极界面；在所述高k层上形成导电层；以及使所述导电层、所述高k层、所述偶极界面和所述氧化型界面层进行图案化，以在所述衬底上形成栅极叠层。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750776 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202010631016.8 (22)申请日 2020.07.03 (30)优先权数据 10-2019-0

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