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半导体装置的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置的形成方法.pdf

    一些实例涉及一种用于形成半导体装置的方法。所述方法包括在衬底上方形成图案界定堆叠，图案界定堆叠包括转移层、布置在转移层上方的中间层以及布置在中间层上方的图案化层。所述方法更包括在图案化层中形成第一开口以暴露出中间层的上部表面，以及穿过第一开口用至少部分各向同性刻蚀剂来刻蚀中间层以形成凹进空腔。所述方法更包括在中间层和图案化层上方形成保形层以填充第一开口，以及利用各向异性刻蚀来刻蚀保形层和转移层以在转移层中形成第二开口。所述方法还包括在第二开口中沉积硬掩模材料。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750947 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011176938.0 H01L 27/22 (2006.01) (22)申请日 2

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