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半导体器件和方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体器件和方法.pdf

    本公开涉及半导体器件和方法。一种器件，包括：从衬底延伸的第一鳍和第二鳍，第一鳍包括第一凹槽，并且第二鳍包括第二凹槽；隔离区域，围绕第一鳍并围绕第二鳍；栅极堆叠，位于第一鳍和第二鳍之上；以及源极/漏极区域，位于第一凹槽和第二凹槽中，源极/漏极区域邻近栅极堆叠，其中，源极/漏极区域包括从第一鳍延伸到第二鳍的底表面，其中，底表面的位于隔离区域上方的第一高度以下的第一部分具有第一斜率，并且其中，底表面的位于第一高度以上的第二部分具有第二斜率，第二斜率大于第一斜率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750826 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011177126.8 (22)申请日 2020.10.29 (30)优先权数据 62/928,19

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