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抛光垫、其制备方法及使用其制备半导体器件的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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抛光垫、其制备方法及使用其制备半导体器件的方法.pdf

    本发明提供了一种抛光垫、其制备方法及使用其制备半导体器件的方法。根据一个实施方案的抛光垫可调节存在于抛光层中的元素的含量，从而控制抛光垫与抛光颗粒之间的结合强度，并增加抛光颗粒和半导体衬底之间的结合强度，从而提高抛光速率。不仅可以提高抛光垫的机械性能，例如硬度、拉伸强度、伸长率和模量，而且可以提高钨层或氧化层的抛光速率。因此，可以使用抛光垫有效地制造高质量的半导体器件。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112743450 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011179547.4 H01L 21/306 (2006.01) (22)申请日

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