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本发明专利公开了一种提高紫外AlInGaN发光二极管TM模出光效率的方法。随着AlInGaN发光二极管Al组分的提高，波长也会逐渐降低，同时TE模出光占主导的出光方式转变成TM模出光占主导。为了提高TM模的出光效率，本发明在刻蚀好的N型电极区和边缘电极区，首先生长钝化层，然后在钝化层区域刻蚀倒梯形结构的反射金属区。倒梯形结构区域蒸镀对紫外光有强反射效率的金属，量子阱中产生的TM光能够经过强反射金属层反射出来，极大地提升了TM模出光效率，从而提高了整个紫外AlInGaN发光二极管的发光强度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112713227 B
(45)授权公告日 2022.04.22
(21)申请号 202011558402.5 H01L 33/14 (2010.01)
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