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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

    本发明公开了一种具有不同栅极结构构造的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在衬底上的第一对源极/漏极区和第二延源极/漏极区，第一纳米结构沟道区和第二纳米结构沟道区，以及具有彼此不同的有效功函值的第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构和第二栅极结构包括第一高K栅极介电层和第二高K栅极介电层，具有彼此不同的厚度的第一阻挡金属层和第二阻挡金属层，分别设置在第一阻挡金属层和第二阻挡金属层上的具有彼此基本相等的厚度的第一功函金属(WFM)氧化物层和第二功函金属氧化物层，设置在第一功函金属氧化物层和

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750828 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011188822.9 (22)申请日 2020.10.30 (30)优先权数据 62/928,55

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