改善CMOS图像传感器像素区边缘发光问题的方法.pdfVIP

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2023-06-05 发布于四川
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改善CMOS图像传感器像素区边缘发光问题的方法.pdf

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本发明提供一种改善CMOS图像传感器像素区边缘发光问题的方法，所述方法包括：步骤1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括像素区、隔离区及逻辑区，且所述隔离区位于所述像素区及所述逻辑区之间；步骤2)通过第一刻蚀工艺刻蚀所述半导体衬底以于所述隔离区形成第一深度的第一浅沟槽；步骤3)通过第二刻蚀工艺刻蚀所述第一浅沟槽底部的所述半导体衬底以于所述第一浅沟槽下方形成至少一个第二深度的第一深沟槽；步骤4)于所述第一浅沟槽及所述第一深沟槽内形成填充层。通过本发明解决了现有的浅沟槽隔离结构无法有效阻挡逻辑区的光

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115763509 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211483441.2 (22)申请日 2022.11.24 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址