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组合的MCD和MOS晶体管半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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组合的MCD和MOS晶体管半导体器件.pdf

    本公开涉及组合的MOS控制二极管(MCD)和MOS晶体管半导体器件以及相关联的制造方法。半导体器件包括：外延半导体层，其布置在半导体衬底上；沟槽矩阵，其形成在外延层中，沟槽矩阵包括第一多个间隔开的平行沟槽和第二多个间隔开的平行沟槽，其中，第一多个平行沟槽中的每一个与第二多个平行沟槽中的每一个正交；栅电极，其布置在第一多个间隔开的平行沟槽中的每一个中；以及源电极，其布置在第二多个间隔开的平行沟槽中的每一个中。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750815 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011139373.9 (22)申请日 2020.10.22 (30)优先权数据

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