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形成半导体结构的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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形成半导体结构的方法.pdf

    提供一种形成半导体结构的方法。方法包括在基板之上的模板层中蚀刻沟槽，在沟槽的底表面之上形成种晶结构，在种晶结构之上形成介电帽，以及使用蒸汽液体固态磊晶生长制程在沟槽内生长单晶半导体结构。单晶半导体结构是自种晶结构与沟槽的底表面之间的液体‑固体界面生长。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750693 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202010699374.2 H01L 29/16 (2006.01) (22)申请日 2

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