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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明实施例涉及一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法包括：提供基底，所述基底上具有至少两个分立的凸起部以及填充于相邻所述凸起部之间的阻隔层；其中，所述阻隔层包括相邻接的待刻蚀区域和间隙区域，在垂直于所述基底的方向上，所述间隙区域位于所述凸起部与所述基底之间；对所述待刻蚀区域或所述间隙区域中的至少一者进行离子注入工艺，所述离子注入工艺用于使所述间隙区域的刻蚀速率小于所述待刻蚀区域的刻蚀速率；在进行离子注入工艺之后，去除所述待刻蚀区域。本发明通过改变阻隔层不同区域的刻蚀选择比，提高刻蚀工
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750699 A
(43)申请公布日
2021.05.04
(21)申请号 20191
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