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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明实施例涉及半导体装置以及相关方法与系统。一种半导体装置包含衬底、晶体管层、电介质层及电网结构。所述晶体管层形成于所述衬底的第一侧上且包含用于形成晶体管的多个主动区域。所述电介质层形成于所述晶体管层上且包含安置于第一主动区域上且朝向第二主动区域延伸的导电条用于信号连接。所述电网结构形成于与所述第一侧对置的所述衬底的第二侧上且经布置以将电源导引到所述晶体管层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750798 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202010984845.4 H01L 21/8234 (2006.01)
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