一种隧道磁电阻及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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本发明提供一种隧道磁电阻及其制备方法,隧道磁电阻包括:第一钉扎层;与所述第一钉扎层相对设置的自由层:位于所述第一钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层;位于所述第一钉扎层和所述隧穿势垒层之间的被钉扎层;位于所述自由层背向所述隧穿势垒层一侧的第二钉扎层;所述第一钉扎层与所述被钉扎层形成第一钉扎场,所述第二钉扎层与所述自由层形成第二钉扎场,第一钉扎场和第二钉扎场的方向均平行于所述第一钉扎层与所述第二钉扎层相对的表面,第一钉扎场的方向和第二钉扎场的方向之间的夹角为70°~110°。所述隧道磁电阻的饱和场得

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768604 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011596972.3 H01L 43/02 (2006.01) (22)申请日 2

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