一种碳化硅晶锭外径研磨控制系统及方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.59万字
  • 约 13页
  • 2023-06-06 发布于四川
  • 举报

一种碳化硅晶锭外径研磨控制系统及方法.pdf

本发明公开了一种碳化硅晶锭外径研磨控制系统及方法,包括:第一采集模块采集碳化硅晶锭两个端面的实时图像;处理模块对实时图像上的缺陷识别得到识别结果以划分优质区和缺陷区;夹持机构水平夹持碳化硅晶锭;驱动机构驱动转轴旋转以带动碳化硅晶锭旋转;平行光源朝向碳化硅晶锭发射单色光;光圈调节机构根据碳化硅晶锭的转动速度调节单色光对碳化硅晶锭的照射范围;研磨机构对碳化硅晶锭的外径边缘进行研磨;光信号检测设备在碳化硅晶锭外径研磨即将完毕时,检测通过剩余的优质区侧面边缘的光信号;控制终端在光信号的光照强度大于强度阈

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115502884 A (43)申请公布日 2022.12.23 (21)申请号 202211478850.3 (22)申请日 2022.11.24 (71)申请人 苏州优晶光电科技有

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档