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- 2023-06-06 发布于四川
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公开了三维存储器设备的方法和结构。在一个示例中，存储器设备包括具有在第一区域中的一个或多个第一凹槽以及在第二区域中的一个或多个第二凹槽的衬底。衬层设置在第一区域中的所述一个或多个第一凹槽的侧壁和底部上方，并且外延生长材料形成在第二区域中的所述一个或多个第二凹槽中。一个或多个NAND串形成在设置在所述一个或多个第二凹槽中的外延生长材料上方，以及，一个或多个垂直结构形成在第一区域中的所述一个或多个第一凹槽上方。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768453 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202110103308.9 H01L 27/11556 (2017.01)
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