原创力文档- 13
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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明公开了一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法，通过化学气相沉积在衬底表面沉积生长形成一次外延层，再用激光将多个衬底正交交点处的晶体缺陷去除并形成矩形槽；通过常规清洗和离子清洗去除拼接晶体一次外延层表面的污染物后，通过化学气相沉积在一次外延层表面生长单晶金刚石二次外延层；采用该方法拼接生长后能够得到拼接晶体多个衬底正交交点处无晶体缺陷的大尺寸单晶金刚石拼接晶体。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115726034 A
(43)申请公布日 2023.03.03
(21)申请号 202211647886.X
(22)申请日 2022.12.21
(71)申请人 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
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