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一种半导体器件及其制造方法、存储系统.pdfVIP

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  • 2023-06-07 发布于四川
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一种半导体器件及其制造方法、存储系统.pdf

    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储系统，其中，制造方法包括：提供第一晶圆，在第一晶圆上形成第一键合结构；第一键合结构包括多个第一焊盘，每个第一焊盘包括第一缓冲层和第一导电层；第一缓冲层包围第一导电层的侧壁；提供第二晶圆，在第二晶圆上形成第二键合结构；第二键合结构包括多个第二焊盘；通过第一焊盘和第二焊盘对第一晶圆和第二晶圆进行键合。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116230628 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202310214898.1 H10B 12/00 (2023.01) (22)申请日 2023.03.

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