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- 2023-06-07 发布于四川
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本发明涉及半导体技术领域，具体地说是一种芯片测试机上利用曲线拟合方式测量芯片内阻的方法。其特征在于包括如下步骤：S1，获取芯片测试机测量芯片时的电压、电流数据，并根据所述电压、电流数据绘制散点图；S2，将散点图中散点的横坐标、纵坐标带入曲线拟合公式中计算拟合公式中的参数；S3，将参数数值带入曲线拟合公式中得到电压‑电流的曲线公式；S4，根据电压‑电流的曲线公式进行曲线拟合得到拟合曲线；S5，提取步骤S4获取的拟合曲线对应的电压、电流数值计算芯片内阻。同现有技术相比，拟合后的电压‑电流曲线更贴近实
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112834912 A
(43)申请公布日 2021.05.25
(21)申请号 202110025103.3
(22)申请日 2021.01.08
(71)申请人 胜达克半导体科技(上海)有限公司
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