原创力文档- 0
- 0
- 约2.76万字
- 约 25页
- 2023-06-07 发布于四川
- 举报
本发明公开了一种HEMT与LED的单片集成器件及其制备方法，该单片集成器件包括：衬底、设置于衬底一侧的HEMT叠层结构和LED叠层结构；其中，HEMT叠层结构包括在衬底表面依次层叠的沟道层和势垒层，沟道层和势垒层之间形成有二维电子气层；LED叠层结构包括电子传输层，二维电子气层复用为至少部分电子传输层。采用上述技术方案，可利用二维电子气层为LED叠层结构提供电子，减小LED叠层结构中电子传输层的厚度或者不再设置电子传输层，进而简化单片集成器件的制备工艺，降低单片集成器件的制备难度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116230711 A
(43)申请公布日 2023.06.06
(21)申请号 202310508633.2
(22)申请日 2023.05.08
(71)申请人 江苏第三代半导体研究院有限公司
地
文档评论（0）