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本公开提供一种薄膜晶体管用薄膜的制备方法，其包括步骤：步骤一：将掺镨的IGZO靶材安装；步骤二：衬底清洗；步骤三：直流磁控溅射生长镨掺杂非晶铟镓锌氧化物薄膜，其中，所述的掺镨的IGZO靶材为IGZO靶材远离背板的一侧表面镨掺杂质量浓度的范围为15％～20％，随着靶材深度每增加0.3～0.7mm，镨掺杂浓度增加0.2％～0.6％；掺镨的IGZO靶材的密度≥6.642g/cm3。本公开通过提供一种浓度梯度的靶材，随着溅射沟道的加深，靶材组分梯度的变化，使得溅射获得的薄膜组分均一，透明导电性能稳定。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112813386 A
(43)申请公布日 2021.05.18
(21)申请号 202011642912.0
(22)申请日 2020.12.30
(71)申请人 先导薄膜材料（广东）有限公司
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