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- 2023-06-07 发布于四川
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本发明公开了一种适用于IGBT半导体器件的划片道方法，包括如下步骤:（1）准备好已经在表面完成初次划片道的晶圆；（2）在所述晶圆的表面形成氮化硅；（3）把所述晶圆和所述玻璃基板键合在一起；（4）在所述的晶圆上涂覆光刻胶体；（5）把所述光刻胶体位于划片道区域内的部分去除；（6）把所述晶圆位于划片道区域内的部分去除；（7）将所述光刻胶体去除；（8）将所述晶圆和所述玻璃基板分离；从而完成半导体器材的划片道芯片半成品。本发明，结构简单，降低划片的成本，加快生产速度，缩小划片道的宽度，节省了划片道占用的空
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112838057 B
(45)授权公告日 2022.04.05
(21)申请号 202110025607.5 CN 102130238 A,2011.07.20
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