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本发明公开一种响应类型可调的二维半导体室温氢气传感器及制作方法，所述氢气传感器通过化学气相沉积法(CVD)在Si/SiO2衬底上生长二维MoS2薄膜，再利用滴涂的方法在MoS2薄膜上修饰SnO2制备，其制作方法为：对管式炉内高、低温区装有MoO3和升华硫的石英舟（且MoO3上有Si/SiO2衬底）依次抽负压—充氩气三次，再保压并分别加热高低温区至设定值得到MoS2薄膜，在MoS2薄膜的Si/SiO2衬底上制备基于MoS2薄膜的氢敏器件，将SnO2水胶分散液滴涂在氢敏器件上，经真空干燥、真空退火得
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112881476 B
(45)授权公告日 2022.06.28
(21)申请号 202110072715.8 (56)对比文件
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