一种耐低温可拉伸固-液双相CuGa2-GaInSn导电薄膜的制备方法.pdfVIP

一种耐低温可拉伸固-液双相CuGa2-GaInSn导电薄膜的制备方法.pdf

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本发明提供了一种耐低温可拉伸固‑液双相CuGa2‑GaInSn导电薄膜的制备方法,该方法创新性的在经过等离子及疏基化处理的衬底上依次热蒸镀铜(Cu)原子层、镓(Ga)原子层,然后再将铟(In)、锡(Sn)同时放入真空镀膜机的蒸发槽中,采用共热蒸工艺将铟(In)、锡(Sn)同时蒸镀在镓(Ga)原子层上端,并通过真空加热处理Cu与Ga反应形成固相CuGa2,Ga、In、Sn合金化形成耐低温至‑19℃的液相GaInSn,最终制备了CuGa2‑GaInSn固‑液双相导电薄膜,该方法通过In、Sn原子掺杂

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112877647 B (45)授权公告日 2022.06.10 (21)申请号 202110044144.7 C23C 14/54 (2006.01)

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