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半导体器件的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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半导体器件的制造方法.pdf

    本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底内形成有沟槽，所述沟槽的侧壁和底部形成有场氧化层，所述沟槽内填充有电极连接层，所述场氧化层在所述沟槽的开口处靠近所述电极连接层的位置处形成有凹陷；在所述衬底上形成保护层，以使所述保护层完全填充所述凹陷；以及，去除部分所述保护层，使所述沟槽内的所述保护层、所述场氧化层及所述电极连接层与所述衬底的表面齐平。本发明在形成有电极连接层的沟槽上形成保护层，以填充场氧化层在湿法刻蚀过程中形成的凹陷，避免了后续工艺中多晶硅在所述凹陷中的残留，进而避

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112908858 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110265071.4 (22)申请日 2021.03.09 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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